WHU jamoasi AlInGaN/AlGaN super panjarali elektron blokirovka qiluvchi qatlamni joriy etish orqali UV LEDlarning yaxshilangan kvant samaradorligini ko'rsatadi.
Wuxan universitetining Shengjun Chjou boshchiligidagi tadqiqot guruhi ultrabinafsha nurli diodlar (UV LED) samaradorligini oshirish uchun elektron blokirovka qiluvchi qatlamning (EBL) maxsus dizayni haqida xabar berdi. Ular ~ 371 nm UV LEDlarning kvant samaradorligini oshirish uchun AlInGaN/AlGaN super panjarali elektron blokirovka qiluvchi qatlamni (SEBL) taklif qilishdi.
UV LEDlar litografiya, tibbiy davolash, 3D bosib chiqarish, gazni aniqlash, o'simliklarni yoritish va oq LEDlarning nasos manbalari kabi ulkan ilovalarga qiziqish ortib bormoqda. Biroq, UV LEDlarning nisbatan past kvant samaradorligi ularning ko'rinadigan analoglari bilan solishtirganda yanada keng qo'llanilishiga to'sqinlik qiladi.
Tadqiqotchilar AlInGaN/AlGaN SEBL ning joriy etilishi energiya diapazoni modulyatsiyasi orqali yuqori samarali UV LEDlarga erishish mumkinligini ko'rsatdi. SEBL ning kuchlanishni bo'shashtiruvchi ta'siri tufayli kvant quduqlarining kamroq egilgan energiya diapazoni tashuvchi to'lqin funktsiyalarining ajralishini yumshatishi mumkin. SEBL o'tkazuvchanlik zonasidagi elektronlar va choklar uchun samarali to'siq balandligining oshishi elektron oqishini samarali ravishda bostiradi.
Bundan tashqari, SEBL valance bandidagi tikanlar teshiklarni jalb qilishi mumkin va shu bilan faol hududga teshik in'ektsiyasini osonlashtiradi. Ushbu muhim afzalliklardan foydalangan holda, AlInGaN/AlGaN SEBLli UV LED AlInGaN EBLli UV LED bilan solishtirganda 21 foizga yuqori yorug'lik chiqish quvvati va kichikroq oldinga kuchlanishni namoyish etadi.
Yuqoridagi rasmlarda (a) UV LEDlar tuzilishining kesma TEM tasvirlari ko'rsatilgan. (b) 60 mA da UV LED chipining EL tasviri.
'371 nm ultrabinafsha yorug'lik chiqaradigan diodlarning kvant samaradorligini oshirish uchun oqilona o'ta panjarali elektron blokirovka qiluvchi qatlam dizayni'
